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LT1161CSW#TRPBF价格

参考价格：￥46.4621

型号：LT1161CSW#TRPBF 品牌：Linear 备注：这里有LT1161CSW#TRPBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，LT1161CSW#TRPBF批发/采购报价，LT1161CSW#TRPBF行情走势销售排行榜，LT1161CSW#TRPBF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
LT1161CSW#TRPBF	封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AAT1161	SoftStartFunction GeneralDescription TheAAT1161isan800kHzhighefficiencystepdownDC-DCconverterwithwideinputvoltagerange.With4.0Vto13.2Vinputrating,theAAT1161istheperfectchoicefor2-cellLi+batterypowereddevicesandmidpowerrangeregulated12Vpoweredapplications.Theinternalpowe	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司
1161	Perfectforcuttingjacketsoffavarietyoffibreopticcable 文件：28.37 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AAT1161	13.2VInput,3AStep-DownConverter 文件：1.39535 Mbytes Page：18 Pages	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司
ADP1161	PRECISIONSEMICONDUCTORPRESSURESENSOR 文件：72.13 Kbytes Page：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AN-1161	EMC-CompliantRS-485CommunicationNetworks 文件：239.94 Kbytes Page：16 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

LT1161CSW#TRPBF产品属性

类型
描述
型号
LT1161CSW#TRPBF
功能描述
IC MOSFET DRIVER NCH QUAD 20SOIC
RoHS
是
类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
5
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
600ns 电流 -
峰
12A
配置数
1
输出数
1 高端电压 -
最大（自引导启动）
-
电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度
-20°C ~ 60°C
安装类型
通孔
封装/外壳
21-SIP 模块
供应商设备封装
模块
包装
散装
配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称
835-1063

LT1161CSW#TRPBF供应商更多...

更新时间：2024-4-20 11:00:00

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深圳市兴灿科技有限公司	LT1161CSW#TRPBF	LINEAR/凌特	23+	SOIC	25500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价
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LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20
LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23
LT1172CS8
SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器
2021-11-17
LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28
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描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27

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