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型号	功能描述	生产厂家&企业
LT1160IN#PBF	封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP 集成电路（IC）栅极驱动器	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
1160	OriginalStrainReliefBushings 文件：121.7 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
A1160	Chopper-StabilizedPrecisionHallEffectSwitchWithAdvancedDiagnostics 文件：306.9 Kbytes Page：13 Pages	Allegro Allegro MicroSystems
AAT1160	StepUpCurrentModePWMConverterwith41OperationalAmplifiers 文件：372.38 Kbytes Page：14 Pages	AATAdvanced Analog Technology, Inc. 台灣類比科技股份公司
AAT1160	12V,3AStep-DownDC/DCConverter 文件：662.07 Kbytes Page：17 Pages	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司
AE1160	USBAMALE-USBBFEMALE 文件：41.19 Kbytes Page：1 Pages	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司

LT1160IN#PBF产品属性

类型
描述
型号
LT1160IN#PBF
功能描述
IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP
RoHS
是
类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
5
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
600ns 电流 -
峰
12A
配置数
1
输出数
1 高端电压 -
最大（自引导启动）
-
电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度
-20°C ~ 60°C
安装类型
通孔
封装/外壳
21-SIP 模块
供应商设备封装
模块
包装
散装
配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称
835-1063

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更新时间：2024-4-19 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市杰顺创科技有限公司	LT1160IN#PBF	LINEAR/凌特	19+	PDIP-14	7500	进口原装现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	LT1160IN#PBF	ADI/亚德诺	20+	14-LeadPDIP(Narrow0.	33680	ADI全新原装-可开原型号增税票	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	LT1160IN#PBF	Analog	21+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	LT1160IN#PBF	LINEAR	20+	PDIP	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市赛恒电子科技有限公司	LT1160IN#PBF	ADI/亚德诺	19+	PDIP-14	11300		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	LT1160IN#PBF	ADI(亚德诺)	23+	PDIP-14	924	特价优势库存质量保证稳定供货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	LT1160IN#PBF	ADI(亚德诺)	23+	PDIP-14	5080	百分百原装正品,可原型号开票	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	LT1160IN#PBF	LINEAR/凌特	18+	DIP	20805	全新原装现货,可出样品,可开增值税发票	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	LT1160IN#PBF	ADI/亚德诺	24+	PDIP-14	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市吉利鑫科技发展有限公司	LT1160IN#PBFIC	LINEAR/凌特	22+	PDIP	10000	绝对原装现货热卖	询价

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2023-3-20
LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20
LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23
LT1172CS8
SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器
2021-11-17
LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28
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描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27

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