LT1158CSW#PBF价格

参考价格:¥26.7540

型号:LT1158CSW#PBF 品牌:Linear 备注:这里有LT1158CSW#PBF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,LT1158CSW#PBF批发/采购报价,LT1158CSW#PBF行情走势销售排行榜,LT1158CSW#PBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
LT1158CSW#PBF

封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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Chopper-Stabilized,TwoWireHall-EffectSwitches

Description TheA1150,A1152,A1153,A1155,A1156,A1157,andA1158compriseafamilyoftwo-wire,unipolar,Hall-effectswitches,whicharefactory-trimmedtooptimizemagneticswitchpointaccuracy.ThesedevicesareproducedontheAllegro®advancedBiCMOSwaferfabricationprocess,whichimp

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Chopper-Stabilized,TwoWireHall-EffectSwitches

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LT1158CSW#PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LT1158CSW#PBF

  • 功能描述

    IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    95

  • 系列

    -

  • 配置

    高端和低端,独立

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    160ns 电流 -

  • 290mA

  • 配置数

    1

  • 输出数

    2 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    600V

  • 电源电压

    10 V ~ 20 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    管件

  • 产品目录页面

    1381(CN2011-ZH PDF)

更新时间:2024-3-28 17:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Linear
23+
16-SOIC
7750
全新原装优势
Linear
23+
16-SOIC
9526
LINEAR/凌特
18+
SOIC-16
16837
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
LINEAR/凌特
22+
SOIC
10000
绝对原装现货热卖
LT
20+
SOP16
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
Analog Devices
2021+
SOIC
57500
科研单位合格供应商!现货库存
LINEAR/凌特
SOP-16
208011
一级代理原装正品,价格优势,支持实单!
LINAER
22+
SOIC16
3000
原装正品,支持实单
LINEAR/凌特
SOP16
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
LinearTechnology
2022
ICMOSFETDRVR1/2BRDGNCH16
5058
原厂原装正品,价格超越代理

LT1158CSW#PBF芯片相关品牌

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    2023-3-20
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    www.58chip.com

    2022-5-23
  • LT1129CQ-5

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    2021-7-15
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    2020-7-28
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27