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LT1129IST-5#PBF价格
参考价格：￥19.2629
型号：LT1129IST-5#PBF 品牌：Linear 备注：这里有LT1129IST-5#PBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，LT1129IST-5#PBF批发/采购报价，LT1129IST-5#PBF行情走势销售排行榜，LT1129IST-5#PBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LT1129IST-5#PBF | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件 描述：IC REG LINEAR 5V 700MA SOT223-3 集成电路（IC） 线性 + 开关稳压器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  |   |
LT1129IST-5#PBF | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件 描述：IC REG LINEAR 5V 700MA SOT223-3 集成电路（IC） 稳压器 - 线性 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | |
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LT1129IST-5#PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1129IST-5#PBF
- 功能描述
IC REG LDO 5V .7A SOT223-3
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性
- 系列
-
- 标准包装
1
- 系列
-
- 稳压器拓扑结构
正，固定式
- 输出电压
8V
- 输入电压
10.5 V ~ 23 V 电压 -
- 压降（标准）
1.7V @ 40mA
- 稳压器数量
1 电流 -
- 输出
100mA（最小值） 电流 -
- 限制（最小）
-
- 工作温度
0°C ~ 125°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装
8-SOIC
- 包装
剪切带(CT)
- 产品目录页面
1075(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
296-24390-1
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺)/LINEAR |
23+ |
SOT-3 |
9990 |
原装正品，支持实单 |
|||
ADI |
24+ |
3-Lead SOT-223 |
3660 |
十年信誉,只做全新原装正品现货,以优势说话 !! |
|||
ADI/亚德诺 |
21+ |
SOT223 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
LT |
2017+ |
SOT-223 |
18700 |
||||
ADI/亚德诺 |
21+ |
SOT223 |
2000 |
||||
ADI(亚德诺) |
23+ |
SOT223-3 |
7064 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
LINEARTECHNO |
22+ |
TO-261-4 |
1762 |
绝对进口原装现货 特价热卖!! |
|||
AD/LT |
21+ |
SOT-223-3 |
1580 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
LT |
2017+ |
SOT223 |
45896 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
LT/凌特 |
07+ |
SOT223 |
27762 |
进口原管现货/78 |
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2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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