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型号	功能描述	生产厂家&企业
LT1129IST-3.3#PBF	封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件描述：IC REG LIN 3.3V 700MA SOT223-3 集成电路（IC）线性 + 开关稳压器	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
LT1129IST-3.3#PBF	封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件描述：IC REG LIN 3.3V 700MA SOT223-3 集成电路（IC）稳压器 - 线性	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
LT1129IST-3.3	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown 文件：276.02 Kbytes Page：12 Pages	LINERLinear Technology 线性技术公司
LT1129IST-3.3	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown 文件：175.19 Kbytes Page：16 Pages	LINEAR 凌特
LT1129IST-3.3	400mVDropoutVoltage 文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages	LINERLinear Technology 线性技术公司
LT1129IST-3.3	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown 文件：182.16 Kbytes Page：16 Pages	LINERLinear Technology 线性技术公司
LT1129IST-3.3	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown 文件：182.16 Kbytes Page：16 Pages	LINERLinear Technology 线性技术公司

LT1129IST-3.3#PBF产品属性

类型
描述
型号
LT1129IST-3.3#PBF
功能描述
IC REG LDO 3.3V .7A SOT223-3
RoHS
否
类别
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性
系列
-
标准包装
1
系列
-
稳压器拓扑结构
正，固定式
输出电压
8V
输入电压
10.5 V ~ 23 V 电压 -
压降（标准）
1.7V @ 40mA
稳压器数量
1 电流 -
输出
100mA（最小值）电流 -
限制（最小）
-
工作温度
0°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOIC
包装
剪切带(CT)
产品目录页面
1075(CN2011-ZH PDF)
其它名称
296-24390-1

LT1129IST-3.3#PBF供应商更多...

更新时间：2024-4-23 18:15:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市凌旭科技有限公司	LT1129IST-3.3#PBF	ADI/亚德诺	21+	SOT223	2000		询价
深圳市博浩通科技有限公司	LT1129IST-3.3#PBF	Linear	23+	SOT-223	7750	全新原装优势	询价
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LT1129CQ-5
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2021-7-15
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SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28
LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28
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描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27

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