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位置：首页 > IC中文资料第565页 > LH5116

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
LH5116

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116D-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116H

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116H-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116HD-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116HN-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116N-10

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116NA-10

16KCMOSSTATICRAM

GeneralDescription Features

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116S

CMOS16K(2Kx8)StaticRAM

DESCRIPTION TheLH5116SisastaticRAMorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itoperatesatalowsupplyvoltageof3V±10. FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:1000ns(MAX.) •Low-powerconsumption: Operating:33mW(

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

SHARP
LH5116-10F

封装/外壳：24-DIP（0.600"，15.24mm） 包装：托盘 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP 集成电路（IC） 存储器

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

SharpMicroelectronics
LH5116NA-10

封装/外壳：24-SOIC（0.339"，8.60mm 宽） 包装：管件 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOP 集成电路（IC） 存储器

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

SharpMicroelectronics
5116

THMTESTPOINTS

(THM)THRUHOLEMOUNTTESTPOINTS-COLORKEYED •Colorkeyedforvisibilityandquickidentification •EconomicalchoiceforPCtestpointterminations •Snap-fitmountingprovidespositiveretentionforwavesoldering •Wireformloopforsafe,non-sliptesting •Spacesaving,ultralow

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
AD5116

Single-Channel,128-/64-/32-Position,I2C,짹8ResistorTolerance,NonvolatileDigitalPotentiometer

GENERALDESCRIPTION TheAD5110/AD5112/AD5114provideanonvolatilesolutionfor128-/64-/32-positionadjustmentapplications,offeringguaranteedlowresistortoleranceerrorsof±8andupto±6mAcurrentdensityintheA,B,andWpins.Thelowresistortolerance,lownominaltemperaturecoef

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
5116

DIPClipsfor8-14-16-20-24-40PinClipsAnd8Through40PinDIPRemovers

文件：38.33 Kbytes Page：2 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
5116

2.8VLVCMOSSurfaceMountCrystalClockOscillator

文件：82.46 Kbytes Page：2 Pages

Connor-Winfield

Connor-Winfield

Connor-Winfield
5116

Mil/SpaceApplications

文件：172.98 Kbytes Page：3 Pages

Vectron

VECTRON

Vectron

LH5116产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LH5116

  • 功能描述

    IC SRAM 16KBIT 100NS 24DIP

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    96

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    FLASH

  • 存储容量

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度

    70ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.65 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

LH5116供应商更多...

更新时间：2024-4-24 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
LH5116NA-10
SHARP
2020+
SOP24
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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深圳市金芯世纪电子有限公司
LH5116-10
SHARP/夏普
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100000
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深圳市英卓尔科技有限公司
LH5116NA-10
SHARP
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SOP
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诚信交易大量库存现货
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深圳市华睿芯科技有限公司
LH5116-10
SHARP
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DIP
20000
原厂原装正品现货
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深圳市益百分电子有限公司
LH5116D-10
SHARP
DIP24
99+
9
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
LH5116-10
SHARP
2020+
DIP
35000
100%进口原装正品公司现货库存
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中天科工半导体（深圳）有限公司
LH5116H-10
SHARP/夏普
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DIP
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深圳市凌旭科技有限公司
LH5116NA-10
SHARP
2016+
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深圳市大联智电子有限公司
LH5116-10
DLZ
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DIP24
354000
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深圳好佳好科技有限公司
LH5116NA-10
SHARP
1305+
SOP
12000
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