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L8821P	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet POLYFET
L8821PR	SILICONGATEENHANCEMENTMODE GeneralDescription SiliconLDMOStransistordesignedspecificallyforBroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularBaseStaions,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriversandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,resultinginhighFttransistorsw	Polyfet POLYFET
L8821P_14	RFPOWERLDMOSTRANSISTOR 文件：54.5 Kbytes Page：2 Pages	Polyfet POLYFET
AL8821	40V,2ABOOSTLEDDRIVER Description TheAL8821isaboostconverterthatdeliversanaccurateconstantcurrentforMR16andsimilarLEDLamps.Withproprietarycontrolscheme,theLEDdriveriscompatiblewithmanycommonlyusedelectronictransformersandprovidesdesignswithHighPowerFactor(PF)andlowTotalHarm	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
8821	Airsolenoidvalve 文件：101.08 Kbytes Page：2 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
AL8821	BOOSTLEDDRIVER 文件：270.8 Kbytes Page：14 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AME8821	250mAHi-PSRR,Low-QuiescentLDOwithIn-RushCurrentControlForUSBApplication 文件：179.31 Kbytes Page：15 Pages	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子
AP8821	21secVOICEOTP 文件：112.69 Kbytes Page：13 Pages	APLUSAPLUS APLUS

L8821P产品属性

类型
描述
型号
L8821P
制造商
POLYFET
制造商全称
Polyfet RF Devices
功能描述
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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更新时间：2024-4-25 10:08:00

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L7A1433深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
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L79Lxx系列三端负监管机构聘用内部电流限制和热关断，使他们基本上坚不可摧的。如果提供适当的散热片，他们可以提供高达100mA的输出电流。他们的目的是在一个固定的稳压器应用范围广，包括本地或oncard为消除噪音和调控与单点的分配问题规管。此外，他们还可以使用高电流的电源通过元素稳压器。L79Lxx系列齐纳二极管/电阻结合更换，提供了一个有效两种典型的输出阻抗改善量级，伴随着更低的静态电流和更低的噪音。L79L05ABUTR：负电压稳压器特点■输出电流可达100毫安■输出电压为-5，-6，-8，-9，-12
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