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IRLR3636中文资料

厂家型号

IRLR3636

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1188.98Kbytes

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11

功能描述

Advanced Process Technology

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC

数据手册

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生产厂商

Kersemi Electronic Co., Ltd.

简称

KERSEMI

中文名称

官网

LOGO

IRLR3636产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLR3636

  • 功能描述

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-1 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2021+
DPAK
16800
全新原装正品,自家优势现货
IR
23+
TO-252
20540
保证进口原装现货假一赔十
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23+
D-Pak
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
IR
11+
TO252
62000
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全新原装公司现货
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IRLR3636TRPBF-CUTTAPE 价格

参考价格:¥4.0719

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