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KSC839CYTA	FM/AMRADIORFAMP,CONV,OSC,IFAMP 文件：38.04 Kbytes Page：4 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KSC839CYTA	封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线包装：散装描述：TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
839B	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
ADG839	0.35ohmCMOS1.65Vto3.6VSingleSPDTSwitch/2:1MUX GENERALDESCRIPTION TheADG839isalowvoltageCMOSdevicecontainingasinglepole,double-throw(SPDT)switch.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.6Ωoverthefulltemperaturerange.TheADG839isfullyspecifiedfor1.8V,2.5V,and3.3Vsupplyoperation. FEATURES 1.65	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG839YKSZ-REEL	0.35ohmCMOS1.65Vto3.6VSingleSPDTSwitch/2:1MUX GENERALDESCRIPTION TheADG839isalowvoltageCMOSdevicecontainingasinglepole,double-throw(SPDT)switch.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.6Ωoverthefulltemperaturerange.TheADG839isfullyspecifiedfor1.8V,2.5V,and3.3Vsupplyoperation. FEATURES 1.65	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
BD839	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min) •HighDCCurrentGain •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD840 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseintelevisioncircu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AN839	NovelCurrent-SenseMeasurementwithAutomaticOffsetCorrection 文件：131.1 Kbytes Page：5 Pages	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司

KSC839CY产品属性

类型
描述
型号
KSC839CY
功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2024-4-16 17:18:00

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2020-10-20
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2020-6-22

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