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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedUltraFETTrenchPowerMOSFETs 文件:140.13 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
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JSL9N322AP3规格书下载地址
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2019-2-26
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