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MIXA225RF1200TSF中文资料
MIXA225RF1200TSF产品属性
- 类型
描述
- 型号
MIXA225RF1200TSF
- 功能描述
IGBT 模块 XPT IGBT Module
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间:2024-4-29 17:21:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
19+/20+ |
模块 |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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IXYS |
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模块 |
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IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
22+ |
Module |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
23+ |
Module |
9000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS |
22+ |
原厂封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
IXYS |
23+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
IXYS |
2305+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273078邹小姐 |
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