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IXKC19N60C5中文资料

厂家型号	IXKC19N60C5
文件大小	120.38Kbytes
页面数量	4页
功能描述	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	IXYS Integrated Circuits Division
简称	IXYS
中文名称	官网
LOGO

相近规格书

IXKC19N60C5产品属性

类型
描述
型号
IXKC19N60C5
功能描述
MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

IXKC19N60C5供应商...

更新时间：2024-5-22 18:48:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXKC19N60C5	IXYS	24+	ISOPLUS220?	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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Datasheet数据表PDF页码索引

IXYS Integrated Circuits Division

中文资料: 8686条

作为固态继电器(SSR)的开发先驱，该公司已成为电信、安防、公用事业计量和工业控制行业的领先供应商。IXYSIntegratedCircuitsDivision的解决方案在很多应用中迅速取代了原有的机电器件，并增强了系统总体性能。他们将继续开发具有更高的集成度和电气性能的领先产品。1、通讯：开发应用于这一领域的ASIC和ASSP电路，以适应Internet应用对带宽的更大需求，如数据通讯和网络。2、通信：接口器件、连结方案，应用于远程办公设备。3、自动检测设备