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IXGX50N120C3H1中文资料
IXGX50N120C3H1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGX50N120C3H1
- 功能描述
IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间:2024-4-30 10:08:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
22+ |
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IXYS |
22+ |
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PLUS247 |
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公司只做原装正品 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
PLUS247 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
PLUS247 |
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只做原装进口现货,专注配单 |
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IXYS-艾赛斯 |
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TO-247-3 |
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