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MTV6N100E中文资料
MTV6N100E产品属性
- 类型
描述
- 型号
MTV6N100E
- 制造商
MOTOROLA
- 制造商全称
Motorola, Inc
- 功能描述
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
更新时间:2024-5-28 9:10:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-252 |
3600 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
MOT |
24+25+/26+27+ |
TO-268 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
N/A |
2480 |
||||||
ADI/亚德诺 |
21+ |
原封装 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
ADI/亚德诺 |
21+ |
原封装 |
610880 |
本公司只售原装 支持实单 |
|||
ADI/亚德诺 |
2339+ |
NA |
32280 |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
|||
ADI/亚德诺 |
原封装 |
66900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
||||
ADI/亚德诺 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ADI/亚德诺 |
22+ |
QFN |
20000 |
原装现货,实单支持 |
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- TB6-2100D3CH
- TB6-2100D3DG
- TB6-2100D3DH
- TB6-2100D6CG
- TB6-2100D6CH
- TB6-2100D6DG
- TBA-06B443A
- TBA-06B443B
- TBA-06B44DA
- TBA-06B44DB
- TBA-06BNN3A
- TBA-06BNN3B
- TBA-06BNNDA
- TBA-06BNNDB
- TBA-06H443A
- TBA-06H443B
- TBA-06H44DA
- TBA-06H44DB
- TBA-06HNN3A
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售