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IPP60R190E6中文资料

厂家型号

IPP60R190E6

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338.26Kbytes

页面数量

2

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-CH 650V 20.2A

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

IPP60R190E6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP60R190E6

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 20.2A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-17 14:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
21+
TO220-3
20000
原装现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
2021+
TO-220
18506
原装进口假一罚十
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原装正品 可含税交易
INFINEON/英飞凌
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只做原装/假一赔百
INFINEON
23+
NA
15000
原装现货,实单价格可谈,联系章

IPP60R190E6XKSA1 价格

参考价格:¥10.1310

型号:IPP60R190E6XKSA1 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有IPP60R190E6多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPP60R190E6批发/采购报价,IPP60R190E6行情走势销售排排榜,IPP60R190E6报价。

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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 22406条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售