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2N5930中文资料
2N5930产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N5930
- 制造商
SEME-LAB
- 制造商全称
Seme LAB
- 功能描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-3 |
2250 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
MOT |
TO-3 |
10000 |
|||||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
|||
2000 |
12 |
||||||
Microchip Technology |
24+ |
TO-204AA,TO-3 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
2021+ |
TO-3 |
8932 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
一级代理 |
23+ |
N/A |
98000 |
一级代理放心采购 |
|||
MOTOROLA |
16+ |
CAN3 |
1200 |
原装现货假一罚十 |
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2N5930 芯片相关型号
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- 100203200031
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- 892-094-523-202
- 892-094-523-203
- C1005B0R5J250ST
- C1005N104J250ST
- C1005N106J250ST
- C1608A680J100NT
- C1608B0R5J101NT
- C1608F104J101NT
- C1608F680J250ST
- C1608N680J250ST
- C2012B104J250ST
- C2012F106J100ST
- C3216B680J250ST
- C3225F104J101NT
- E91F451VND471MA65T
- E91F451VND681MB65T
- E91F451VNT102MU80T
- E91F501VSN181MR50T
- NLI110D121K___F
- NLI123C102K___F
- NPI104C151KTRF
- NPIM147P8R2MTRF
- NPIM187B150MTRF
- SBC56-21EGWA
- SC56-11CGKWA
- XFEB100505-700
- XFGIG12N-STKVDXU4-4
2N5930 晶体管资料
2N5930别名：2N5930三极管、2N5930晶体管、2N5930晶体三极管
2N5930生产厂家：SEM_SSI_美国硅晶体技术公司
2N5930制作材料：Si-NPN
2N5930性质：开关管 （S）_功率放大 （L）_]
2N5930封装形式：贴片封装
2N5930极限工作电压：130V
2N5930最大电流允许值：30A
2N5930最大工作频率：>30MHZ
2N5930引脚数：2
2N5930最大耗散功率：175W
2N5930放大倍数：
2N5930图片代号：E-44
2N5930vtest：130
2N5930htest：30000100
- 2N5930atest：30
2N5930wtest：175
2N5930代换 2N5930用什么型号代替：BDW30,BDY58,2N5672,3DK108E,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P80
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 22080条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
