位置:RK73H1JLTD2801F > RK73H1JLTD2801F详情
RK73H1JLTD2801F中文资料
RK73H1JLTD2801F产品属性
- 类型
描述
- 型号
RK73H1JLTD2801F
- 功能描述
厚膜电阻器 - SMD 1/10watt 2.8Kohms 1%
- RoHS
否
- 制造商
Bourns
- 电阻
1.5 Ohms
- 容差
1 %
- 功率额定值
25 W
- 电压额定值
250 V 外壳代码 -
- in
外壳代码 -
- 端接类型
SMD/SMT
- 温度系数
100 PPM/C
- 系列
PWR163
- 工作温度范围
- 55 C to + 155 C
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
KOA-可尔 |
24+25+/26+27+ |
车规-被动器件 |
96500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
KOA |
2023+ |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
||||
RES287KTF1/16W10603 |
4000 |
||||||
KOA |
2023+ |
SMD |
5000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
|||
RK73H1JLTD3010F |
5000 |
5000 |
|||||
KOA |
新 |
5000 |
全新原装 货期两周 |
RK73H1JLTD2801F 资料下载更多...
RK73H1JLTD2801F 芯片相关型号
- 1.5KE120
- 1.5KE39A
- 1.5KE82
- 12063F104KAZ2A
- 1N5266B
- 1N5281B
- 2262-2
- 5.0SMCJ28A
- 7101T10Y3CBE
- BZX55C27
- C1608X7R1E104K
- CRCW2010562RZNEG
- CWR06MK155MSB
- D4B-1B17N
- D4N-1226
- ECJ-2FB0J226ML
- ERJ-3EKF2871V
- FTSH-140-04-F-DH-ES-C
- GC315BR75C1CR50D
- GCM55AR75C1CR50D
- GRM1885C1H362JA01D
- HC230
- HI-3586PCT
- KSC821J70LFS
- LT02YC475MAT4S
- MCR03EZPFX2671
- P4KE180A
- S101042S202NQ
- TMM130-06-T-RC
- VC121048H101
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
International Rectifier 英飞凌科技公司
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技