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IRLZ34NS中文资料
IRLZ34NS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLZ34NS
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
15+ |
原厂原装 |
10400 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
IR/VISHAY |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
IR |
20+ |
SOT263 |
800 |
全新原装,价格优势 |
|||
IR |
22+ |
TO-263 |
9150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
D2PAk |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
||||
ir |
05+ |
TO-263 |
8800 |
全新原装 绝对有货 |
IRLZ34NSTRLPBF-CUTTAPE 价格
参考价格:¥3.3989
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- K7N801849B-QC25
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- NAND01GR3A2BZB1
- NAND01GW3A2BZB1
- NAND01GW4A0CZB1
- NAND128R3A0CZB1
- NAND128W4A0CZB1
- NAND512W4A0CZB1
- S16008LK9LK9FB-8A
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- XC6201P181ML
- XC6201P191LR
Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier 英飞凌科技公司
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技