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2N5114中文资料
2N5114产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N5114
- 功能描述
JFET 30V 10pA
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的
- Idss)
50 mA 漏源电压
- VDS
15 V
- 漏极连续电流
50 mA
- 封装/箱体
SC-59
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
23+ |
3-SMD,无引线 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
- |
907 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
152 |
新 |
||||||
Vishay |
23+ |
TO18 |
19567 |
||||
MOT |
23+ |
CAN |
1100 |
特价库存 |
|||
VISHAY |
16+ |
CAN3 |
600 |
原装现货假一罚十 |
|||
MOT |
2339+ |
CAN3 |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
MOT |
23+ |
CAN3 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Vishay |
2002 |
TO-18 |
9 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
SILICONIX |
新 |
35 |
全新原装 货期两周 |
2N5114JTX02 价格
参考价格:¥383.7196
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- 295T332F103C21
- 296HF502A3C
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- 442SA8W253BDN
- 442SATH253BDN
- ELH479M6R3AR5
- ESW278M6R3AH6
- F461DE223K250C
- FFVE4C0189K7X
- FFVE4H0189KJE
- FFVE6H0189KJE
- MKP1839100410162G
- MKP18391415162G
- MKP1847612315K5
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Datasheet数据表PDF页码索引
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InterFET Corporation
InterFET拥有业界最好的模拟前端(AFE)解决方案。在数字世界中,许多接口仍然是模拟的。JFET擅长以最低的噪声和功率为数字世界提供模拟传感器接口。 InterFET拥有最广泛的JFET部件产品,是JFET产品的最大供应商。我们公司提供JFET解决方案已有40多年的历史。 InterFET利用18000多平方英尺的专门配置用于制造特种半导体产品,其内部制造包括晶圆探针和锯、电气测试、金属外壳组装和定制陶瓷基板制造。 金属外壳组件占地约5000平方英尺。我们在现场进行最终测试和最终QC检查。 占地1500平方英尺的MCM-C制造和测试业务也位于该设施内。该操作可以提供用于+200°C应用