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DF150R12RT4中文资料
DF150R12RT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF150R12RT4
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 150A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2024-4-28 15:09:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
模块 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
AG-34mm-1 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
IGBT |
1200 |
本公司只做原装,特价出售! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SMD |
10250 |
只做原装现货13691986278微信 |
|||
INFINEON |
17+ |
IGBT |
1000 |
九年诚信经营只售原装正品 |
|||
Infineon |
1844+ |
LQFP |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
INFINEON |
2022+ |
MODULE |
7300 |
原装现货 |
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Infineon Technologies AG 英飞凌科技公司
中文资料: 34233条
据权威机构07芯片生产排行，infineon公司排在Intel、SAMSUNG、TI、ST之后，为全球第五大芯片生产商。其总部在德国的慕尼黑，企业文化：neverstopthinking.在中国苏州投资成立奇梦达，主要生产内存条，并允许北京瑞田达公司代理其电子产品。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场OTCQXInternationalPremier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，目前在中国已经拥有8家公司和1
