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IXER35N120D1

NPT3IGBTwithDiode

Features •NPT3IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •HiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -lowoperatingforwardvol

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXER35N120D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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NPT3IGBTwithDiodeinISOPLUS247

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IXER35N120D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXER35N120D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-25 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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公司大量全新原装 正品 随时可以发货
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