位置:首页 > IC中文资料第2707页 > IXER35N120D1
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXER35N120D1 | NPT3IGBTwithDiode Features •NPT3IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •HiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -lowoperatingforwardvol | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
IXER35N120D1 | 封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
NPT3IGBTwithDiodeinISOPLUS247 文件:243.76 Kbytes Page:4 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |
IXER35N120D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXER35N120D1
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 50A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
18+ |
TO-247 |
2050 |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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IXYS |
50000 |
TO-247 |
16 |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
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IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
7512 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO3PL |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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IXYS |
22+ |
TO-247 |
2685 |
原装优势!自家现货供应!欢迎来电! |
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IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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IXYS |
TO-247 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
IXER35N120D1规格书下载地址
IXER35N120D1参数引脚图相关
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- ku波段
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IXFB44N100P
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2023-8-3IXDI614PI
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2023-7-21IXFH46N65X2
进口代理
2022-9-1IXDD614YI
IXDD614YI,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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