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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ISL6594DCRZ-T | AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures TheISL6594DishighfrequencyMOSFETdriverspecifically designedtodriveupperandlowerpowerN-Channel MOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconverter topology.ThisdrivercombinedwiththeISL6594DDigital Multi-PhaseBuckPWMcontrollerandN-ChannelMOSFETs formsacompletecore-vo | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  |   |
ISL6594DCRZ-T | AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures 文件：264.29 Kbytes Page：11 Pages | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | |
ISL6594DCRZ-T | AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures 文件：639.15 Kbytes Page：11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
ISL6594DCRZ-T | 封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN 集成电路（IC） 栅极驱动器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures 文件：247.9 Kbytes Page：10 Pages | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures 文件：242.41 Kbytes Page：10 Pages | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION AM6594istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperior,fastswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalanc | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技 |  | | |
30VN-ChannelAlphaMOS 文件：363.84 Kbytes Page：6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | | |
4-WindingSurfaceMountTransformers 文件：1.46364 Mbytes Page：1 Pages | API API Delevan Inc. |  | |
ISL6594DCRZ-T产品属性
- 类型
描述
- 型号
ISL6594DCRZ-T
- 功能描述
IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
6,000
- 系列
*
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSI |
2020+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Renesa |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
INTERSI |
2020+ |
QFN |
12000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
DFN10(3x3) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
INTERSIL |
23+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Renesas Electronics America In |
21+ |
10-VFDFN 裸露焊盘 |
6000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
|||
INTELSIL |
23+ |
QFN |
1004 |
优势库存 |
|||
INTERSIL |
1342+ |
6000 |
原装现货 |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
DFN-10(3x3) |
499 |
||||
Intersil |
1931+ |
N/A |
493 |
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- jk触发器
- j111
- j108
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2021-4-10ISL6561CRZ
HalfBridge开关控制器,1Output开关控制器,LTC3894开关控制器,15A开关控制器,0Vto30VSMD/SMT开关控制器,Boost开关控制器
2020-10-10ISL6561CRZ
Boost,Flyback开关控制器,1OutputFlyback开关控制器,30V500kHzBoost,Flyback,Forward开关控制器,0Vto16V开关控制器,1Output1ASOIC-8开关控制器,ISL81601开关控制器
2020-10-9ISL6614-先进的同步整流降压双MOSFET驱动器的保护功能...
先进的同步整流双降压MOSFET驱动器与保护特点ISL6613的ISL6614集成了两个MOSFET驱动器，专门用来驱动两个独立的电源在多相位交错式降压转换器通道拓扑。与HIP63xx或ISL65xx结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。在上下两个闸驱动器ISL6614同时在一个范围从5V至12V。这drivevoltage提供必要的灵活性，以优化栅极电荷和应用之间涉及权衡传导损耗。一种先进的自适应零直通保护同时整合，以防止上下的MOSFET从同时进行，并尽量减少死人时间
2013-3-1ISL6596-同步整流MOSFET驱动器...
同步整流MOSFET驱动器该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化在同步驱动两个N沟道功率MOSFET降压转换器。与Intersil的结合此驱动程序多相降压PWM控制器，形成一个完整的单级核心电压，高效率稳压器解决方案在高开关频率性能先进微处理器。该IC是由一个单一的低偏置电压（5V时），尽量减少开关损耗高驱动MOSFET栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器是驾驶不到第三范式负载的能力10ns的上升/下降时间。上层栅极驱动器自举是通过实施内部低正向压降二极管，降低实施成本，复杂性，并允许使用性能更高，成本效益的N沟道的MOSFET。自适应击穿保护集成为了防止同时进行
2013-3-1ISL6580-集成功率级
集成功率级1GHz以上的处理器，操作要求快速，智能电力系统。该ISL6580集成功率级是一个高侧FET/驱动器组合，可提供高电流每个转换器相能力在高开关频率。该芯片集成了情报，提供快速的瞬态响应和数字通信的ISL6590数字控制器。ISL6580集成了主要的功率级快速功率输出元件，有效散热设计并增加抗噪声性能。它集成了一个综合P沟道高侧MOSFET，高边MOSFET驱动器和一名司机外部同步整流，低侧的MOSFET。ISL6580还提供了一个窗口比较器提供快速瞬态响应以及板上的电压和当前的A/D转换器，智能数字通信和控制的ISL6590控制器。此外，通过通讯总线，配置
2013-3-1
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