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IRGPH50 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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IRGPH50产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGPH50
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-247 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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IR |
17+ |
TO-247 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原装 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
||||
IR |
22+ |
TO |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
IR |
TO3P |
27413 |
只做原装货值得信赖 |
||||
IR |
96+ |
TO-247 |
125 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
11441 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IR |
2020+ |
TO-247 |
12 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IRGPH50参数引脚图相关
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- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRH9150
- IRH9130
- IRH8450
- IRH8250
- IRH8230
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- IRH8054
- IRH7450
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- IRH60
- IRH4230
- IRH4150
- IRH4054
- IRH3230
- IRH3150
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- IRGR3B60KD2
- IRGR2B60KDTRPBF
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IRGP4266D-EPBF
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2023-12-11IRG4PC50WPBF
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2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
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IRL2203NPBF厂家：IR封装：TO-220现货热卖原厂原包装，只做原装，假一赔万!!!欢迎致电上海意淼张小姐18301798078021-61316368QQ:2719102545
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2019-5-8
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