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IRGBF20 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT FAST 900V 20A TO-220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
IRGBF20产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGBF20
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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IR |
23+ |
原厂原装 |
6000 |
全新原装 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ir |
22+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
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IR |
23+ |
TO |
6000 |
原装正品，支持实单 |
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INTERNATI |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
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IR |
1746+ |
TO220 |
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深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
4266 |
只做全新原装真实现货供应 |
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IR |
22+ |
TO |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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IR |
24+ |
TO |
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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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