IRFS4410PBF价格

参考价格:¥9.7373

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFS4410PBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFS4410PBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IRFS4410PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFS4410PBF

  • 功能描述

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-25 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINEON/IR
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NA
1700
20年老字号,原装优势长期供货
Infineon Technologies
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原装,支持实单
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
33
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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22+
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