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位置：首页 > IC中文资料第4289页 > IRFR330B

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFR330B

400VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFR330B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
330

SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS

●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment

PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD

寶德華股台灣寶德華股有限公司

PRODUCTWELL
330

HighRippleandUltra-LongLife

文件：470.2 Kbytes Page：6 Pages

CDE

Cornell Dubilier Electronics

CDE
330

ClockOscillators

文件：140.12 Kbytes Page：3 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
330

Ultra-Long-Life,SwitchingPowerGradeRadialHighRippleandUltra-LongLife

文件：365.57 Kbytes Page：5 Pages

CDE

Cornell Dubilier Electronics

CDE
330

CeleronDProcessor

文件：1.75778 Mbytes Page：82 Pages

IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation)

英特尔英特尔（集成电子公司）

Intel

IRFR330B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR330B

  • 功能描述

    MOSFET 400V Single

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFR330B供应商更多...

更新时间：2024-4-20 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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