您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第1013页 > IRF530N

IRF530N价格

参考价格：￥1.7499

型号：IRF530NPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF530N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF530N批发/采购报价，IRF530N行情走势销售排行榜，IRF530N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF530N

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.TheIRF530NissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. 1.’Trench’technology 2.Lowon-stateresistance 3.Fastswitching 4.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
IRF530N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=90mohm,Id=17A)

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530N

22A,100V,0.064Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
IRF530N

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.09Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF530NL

UltraLowOn-Resistance

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF530NL

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF530NL

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NLPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NLPBF

AdvancedProcessTechnology

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRF530NS

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRF530NS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF530NS

UltraLowOn-Resistance

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF530NS

AdvancedProcessTechnology

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NS

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NSPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NSTRLPBF

AdvancedProcessTechnology

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NSTRRPBF

AdvancedProcessTechnology

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530N_18

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.45 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF530NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF530NSPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
530

Pentium4ProcessorsSupportingHyper-ThreadingTechnology

Introduction TheIntel®Pentium®4processoron90nmprocessinthe775-landpackageisafollowontothePentium4processorinthe478-pinpackagewithenhancementstotheIntelNetBurst®microarchitecture.ThePentium4processoron90nmprocessinthe775-landpackageusesFlipChipLandGr

IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation)

英特尔英特尔（集成电子公司）

Intel
530BUE

Security&Sound,#18-20c,BC,CMR

ProductDescription Security&SoundCable,Riser-CMR,20-18AWGstrandedbarecopperconductorswithPVCinsulation,PVCjacketwithripcord

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN
530

Intel짰Solid-StateDrive530Series(2.5-inch)

文件：481.68 Kbytes Page：27 Pages

IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation)

英特尔英特尔（集成电子公司）

Intel
530JPKC

LED

文件：113.24 Kbytes Page：3 Pages

HBHB Electronic Components

HB Electronic Components

HB
530PWC

Singlecolor

文件：1.7202 Mbytes Page：11 Pages

HBHB Electronic Components

HB Electronic Components

HB

IRF530N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF530N

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET N TO-220

IRF530N供应商更多...

更新时间：2024-4-20 10:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市利加科技有限公司
IRF530NPBF
IR
16+
TO-220
10000
全新原装现货
询价
深圳市芯连胜科技有限公司
IRF530NSPBF
Infineon
20+
D2PAK
5328
原装正品现货
询价
深圳市吉银科技有限公司
IRF530NSTRL其他被动元件
IRC
1535+
436
询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司
IRF530NPBF
IR
22+
TO-220
8880
原装认准芯泽盛世！
询价
深圳市诚中源科技有限公司
IRF530NPBF
IR
21+
TO220
9866
询价
深圳市能元时代电子有限公司
IRF530NTBF
IOR
23+
NULL
56193
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
深圳市硅宇电子有限公司
IRF530NSTRLPBF
Infineon/英飞凌
2324+
TO-263-2
78920
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口
询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司
IRF530NPBFMOSFET或IGBT开关IC
IR
23+
TO-220
6000
现货库存
询价
深圳市宏德伟创科技有限公司
IRF530N
IR
23+
TO-220
8000
原装正品
询价
深圳市百纳智芯科技有限公司
IRF530NPBF
INFINEON
21+
TO220
9000
原装正品**质量保证*优势供货**支持实单
询价

IRF530N芯片相关品牌

  • Altera
  • BILIN
  • Cree
  • ETC
  • HY
  • LUMILEDS
  • MOLEX2
  • OHMITE
  • RCD
  • spansion
  • TOKEN
  • VBSEMI

IRF530N规格书下载地址

IRF530N参数引脚图相关

IRF530N数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示