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芯片资料

参考价格：￥71.3440

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型号	功能描述	生产厂家&企业
IRAMS06UP60B	PlugNDriveIntegratedPowerModuleforApplianceMotorDrive 文件：407.45 Kbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRAMS06UP60B	PlugNDriveTMIntegratedPowerModuleforApplianceMotorDrive 文件：370.82 Kbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRAMS06UP60B	包装：管件描述：MODULE BRIDGE DRIVER SMD 分立半导体产品功率驱动器模块	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
IRAMS06UP60B	封装/外壳：23-PowerSIP 模块，19 引线，成形引线包装：管件描述：PWR MOD 600V 6A 23PWRSIP 分立半导体产品功率驱动器模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRAMS06UP60B-2	PlugNDriveTMIntegratedPowerModuleforApplianceMotorDrive 文件：370.82 Kbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRAMS06UP60A	PlugNDriveTMIntegratedPowerModuleforApplianceMotorDrive 文件：445.44 Kbytes Page：18 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

IRAMS06UP60B供应商更多...

更新时间：2024-4-25 17:38:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	IRAMS06UP60B	IR	2017+	iMOTION	26589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRAMS06UP60B	IR	23+	原厂原装	1508	全新原装现货	询价
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深圳市弘为电子有限公司	IRAMS06UP60B	IR	16+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	IRAMS06UP60B	INTERNATIONA	22+	NA	4500	全新原装品牌专营	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IRAMS06UP60B-2	IR	23+	MODULE	12500	全新原装现货,假一赔十	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRAMS06UP60B	IR	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	IRAMS06UP60B	Infineon	22+	NA	493	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市华博特电子有限公司	IRAMS06UP60B	INFINEON	23/22+	NA	144	全线可订货.含税开票	询价

IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8