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IRAM336-025SB价格
参考价格：￥42.1309
型号：IRAM336-025SB 品牌：International 备注：这里有IRAM336-025SB多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRAM336-025SB批发/采购报价，IRAM336-025SB行情走势销售排行榜，IRAM336-025SB报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRAM336-025SB | IntegratedPowerHybridICforApplianceMotorDriveApplications 文件：400.2 Kbytes Page：16 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRAM336-025SB | 封装/外壳：19-PowerSSIP 模块，成形引线 包装：管件 描述：IC HYBRID 3PH INV 2A 500V SIP-S 分立半导体产品 功率驱动器模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
封装/外壳：19-PowerSSIP 模块，成形引线 包装：散装 描述：IC HYBRID MULTI-CHIP 500V 2A 分立半导体产品 功率驱动器模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
IntegratedPowerHybridICforApplianceMotorDriveApplications 文件：400.2 Kbytes Page：16 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRAM336-025SB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRAM336-025SB
- 功能描述
马达/运动/点火控制器和驱动器 2A 500V ING PWR MOD 3-PHASE HYBRID IC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Stepper Motor Controllers/Drivers
- 类型
2 Phase Stepper Motor Driver
- 工作电源电压
8 V to 45 V
- 电源电流
0.5 mA
- 工作温度
- 25 C to + 125 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
HTSSOP-28
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
HYB-19 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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IR |
2020+ |
HYB-19 |
115 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
907 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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IR |
23+ |
NA/ |
9550 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR原现 |
23+ |
SIP-19 |
25000 |
全新原装现货,假一赔十 |
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IR |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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IR |
23+ |
NA |
586 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
Infineon |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研单位合格供应商!现货库存 |
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IR |
22+23+ |
HYB-19 |
74118 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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