| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IR21014 | HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2101(S)/IR2102(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewithstandard | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IR21014 | 封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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DIP-14 |
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14DIP |
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2021-11-6IR2101STRPBF
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2021-9-10IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1/（2*RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。特点•简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
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2013-2-9IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点•门极驱动电源电压范围从6至20V•CMOS施密特触发输入上拉•为两个通道相匹配的传播延迟•输出与输入相
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