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IR2011PBF价格
参考价格：￥10.4054
型号：IR2011PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IR2011PBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2011PBF批发/采购报价，IR2011PBF行情走势销售排行榜，IR2011PBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2011PBF | HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2011isahighpower,highspeedpowerMOSFETdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels,idealforAudioClassDandDC-DCconverterapplications.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTTLoutput,downto3.0Vlogic.Theoutputdriversfeat | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IR2011PBF | Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation 文件：1.3046 Mbytes Page：18 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IR2011PBF | HighandLowSideDriver 文件：1.30916 Mbytes Page：18 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
IR2011PBF | 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation 文件：1.3046 Mbytes Page：18 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
2011Series-FastActingGDTSurgeArrestorwithFLAT®Technology Features ■Bourns®FLAT®GDTtechnology ■Improvedimpulseperformance ■Flexiblemountingoptions ■Stablebreakdownthroughoutlife ■Volume-andspace-savingdesign ■ULRecognized ■RoHScompliant*andhalogenfree** Applications ■Telecommunications ■IndustrialCommunications ■ | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
INTEGRALELECTRONICS(IEPE)PIEZOELECTRICACCELEROMETER 文件：50.54 Kbytes Page：2 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
2.8WMonoClassDAudioPowerAmplifierwithAGC 文件：684.11 Kbytes Page：27 Pages | ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子 |  | | |
2.8WMonoClassDAudioPowerAmplifierwithAGC 文件：684.11 Kbytes Page：27 Pages | ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子 | | | |
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IR2011PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2011PBF
- 功能描述
功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
550 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PDIP8 |
8800 |
公司只作原装正品 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
8DIP |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
17+ |
DIP-8 |
6800 |
100%原装进口现货,欢迎来电咨询 |
|||
IR |
23+ |
PLCC |
18000 |
||||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PDIP8 |
25630 |
原装正品 |
|||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
||||
IR |
16+ |
原厂封装 |
1000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
10+ |
DIP8 |
26163 |
进口管袋现货 |
|||
IR |
1436+ |
DIP-8 |
30000 |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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IR2011PBF规格书下载地址
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2023-4-14IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器，温度范围从-4°F到+752°F
2021-11-6IR2101STRPBF
SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,MP6528门驱动器,1Output1Driver门驱动器,SMD/SMT门驱动器,TSSOP-20门驱动器
2021-9-10IR1175-同步整流驱动
特点提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通单机操作-初级端没有任何联系双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行高电流驱动能力-2A型高速运转-2MHz的适应多种拓扑结构，如单端（未来，双端进）说明该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流，高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流
2013-3-2IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1/（2*RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。特点•简单的初
2013-2-10IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点•门极驱动电源电压范围从6至20V•CMOS施密特触发输入上拉•为两个通道相匹配的传播延迟•输出与输入相
2012-11-14
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