型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPU10N03LAG

OptiMOS짰2Power-Transistor

Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOSBuckconverterseries

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

OptiMOSBuckconverterseries

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPU10N03LAG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPU10N03LAG

  • 功能描述

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-24 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
I
2020+
P-TO-25
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINEON
23+
TO251-3
11540
全新原装
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
Infineon Technologies
2022+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
6680
原厂原装,欢迎咨询
Infineon
23+
TO-251AA-3
60000
原厂正规渠道现货、保证原装正品
INFINEON
2022+
TO-251
57550
Infineon Technologies
23+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
21+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
13880
公司只售原装,支持实单
INFINE0N
20+
TO-251
90000
全新原装正品/库存充足
infineon
20+/21+
TO-251
9500
全新原装进口价格优势

IPU10N03LAG芯片相关品牌

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  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
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    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14