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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPB200N25N3 | OptiMOS3Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOSTM3Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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N-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
IPB200N25N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB200N25N3
- 功能描述
MOSFET N-channel POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
新批次 |
TO-263 |
4326 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
15000 |
原装现货假一赔十 |
|||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263 |
12316 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO263-3 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
INENOI |
20+ |
SOT263 |
800 |
全新原装,价格优势 |
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