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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
IDT71124S20YGI8产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT71124S20YGI8
- 功能描述
IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
72
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步
- 存储容量
4.5M（256K x 18）
- 速度
133MHz
- 接口
并联
- 电源电压
3.135 V ~ 3.465 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
100-LQFP
- 供应商设备封装
100-TQFP（14x20）
- 包装
托盘
更新时间：2024-4-19 18:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPHENOLICCFCI |
23+ |
NA |
6540 |
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|||
三年内 |
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IDT |
22+ |
NA |
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|||
JRC |
23+ |
SOP |
8890 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
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AMPHENOL/安费诺 |
24+ |
NA |
990000 |
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IDT |
23+ |
NA |
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2022 |
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30 |
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