型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71124S20YG8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71124S20YG8

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    72

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步

  • 存储容量

    4.5M(256K x 18)

  • 速度

    133MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP(14x20)

  • 包装

    托盘

更新时间:2024-3-29 13:10:02
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