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CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71124S12YG8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71124S12YG8

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 异步

  • 存储容量

    256K(32K x 8)

  • 速度

    15ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    28-TSSOP(0.465,11.8mm 宽)

  • 供应商设备封装

    28-TSOP

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    71V256SA15PZGI8

更新时间:2024-4-16 23:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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