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位置：首页 > IC中文资料第390页 > IDT71024S20Y

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71024S20Y

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71024S20Y

封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71024S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Description TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.Itisfabricatedusinghigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-spe

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IDT71024S20YI

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT71024S20YI

封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

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IDT71024S20LB

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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71024S20TYG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

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71024S20TYGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

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71024S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

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71024S20YGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

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IDT71024S20Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71024S20Y

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存储容量

    18M（1M x 18）

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA（13x15）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

IDT71024S20Y供应商更多...

更新时间：2024-4-23 14:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IDT
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