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位置：首页 > IC中文资料第1426页 > IDT70V657S10DR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V657S10DR

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V657S10DRI

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V657S10BC

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V657S10BCG

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V657S10BCG

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V657S10BCG

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V657S10BCGI

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT70V657S10DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V657S10DR

  • 功能描述

    IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C，2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

IDT70V657S10DR供应商更多...

更新时间：2024-4-25 13:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市福田区亿兴成电子商行
IDT70V657S10DR
IDT
BGAQFP
6688
15
现货库存
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
IDT70V657S10DR
IDT
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208-PQFP(28x28)
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IDT70V657S10DR
IDT
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深圳市赛尔通科技有限公司
IDT70V657S10DR
IDT
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