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HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT70V631S12BFI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V631S12BFI8

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2024-3-28 20:12:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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