位置：首页 > IC中文资料第6254页 > HVC136
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HVC136 | SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.45pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=2.5Ωmax) •Lowoperationcurrent. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesignandstablerfcharacteristicsinhighfrequency. | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  |   |
HVC136 | SiliconEpitaxialTrenchPinDiode Features ●Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.45pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=2.5Ωmax) ●Lowoperationcurrent. | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | |
CENTIGRID®ESTABLISHEDRELIABILITYMILITARYDPDTSENSITIVECMOSCOMPATIBLE DESCRIPTION Thesensitive136CCentigrid®relayisanultraminiature,hermetically sealed,armaturerelaycapableofbeingdirectlydrivenbymostIClogic families.Its.100”gridspacedterminals,whichprecludetheneedfor spreaderpads,makeitidealforapplicationswhereextremepackagi | TELEDYNE TELEDYNE |  | | |
WetTantalumCapacitorsTantalum-CasewithGlass-to-Tantalum 文件：109.35 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | | |
CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10) 文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
AluminumCapacitorsRadialVeryLowImpedance 文件：148.15 Kbytes Page：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
AluminumelectrolyticcapacitorsRadial,VeryLowImpedance 文件：77.65 Kbytes Page：17 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
HVC136产品属性
- 类型
描述
- 型号
HVC136
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
49400 |
正品授权货源可靠 |
||||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOD523 |
2010 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOD523 |
50000 |
原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
31250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
HITACHI |
21+ |
SOD-523 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ROHS |
17000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOD523 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
2008++ |
SOD-5230603 |
8000 |
新进库存/原装 |
|||
RENESAS |
22+ |
SC-79/0603 |
2560 |
绝对原装!现货热卖! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+21+ |
SOD523 |
28000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
HVC136芯片相关品牌
HVC136规格书下载地址
HVC136参数引脚图相关
- igzo
- igbt驱动电路
- IGBT模块
- id卡
- ic元器件
- ic元件
- ic型号
- ic行业
- ic网
- ic市场
- ic设计
- ic交易
- ic厂家
- ic查询
- IC插座
- ic测试
- ic采购
- IC(集成电路)
- hynix
- hy57v161610
- HVC306A
- HVC306
- HVC300C
- HVC300B
- HVC300A
- HVC30
- HVC25R
- HVC2512
- HVC25
- HVC20R
- HVC202B
- HVC202A
- HVC2010-10MFT3
- HVC-2010-10MEG-5-LF
- HVC2010-100MFT18
- HVC2010-100KFT3
- HVC2010
- HVC200A
- HVC20
- HVC190TRF
- HVC190KRF-E
- HVC190KRF
- HVC190_09
- HVC190
- HVC15R
- HVC15D
- HVC15
- HVC145
- HVC142AKRF-E
- HVC142A
- HVC142
- HVC136TR
- HVC135
- HVC134
- HVC133A
- HVC133
- HVC132TRF-E
- HVC132
- HVC131TRF-E
- HVC131
- HVC12S
- HVC12R
- HVC1210
- HVC1206-330KFT3
- HVC1206-2M0FT3
- HVC1206-220KFT3
- HVC1206-1M0FT3
- HVC1206-150KFT3
- HVC1206-10MJT3
- HVC-1206-10M-J-LF
- HVC-1206-10-MEG-5
- HVC-1206-10K-FS
- HVC1206-100KFT3
- HVC1206
- HVC12
- HVC10R
- HVC10F
- HVC10
- HVC08R
- HVC0805
- HVC08
- HVC0603
- HVC0402
- HV-BR01
- HVB5-1A
HVC136数据表相关新闻
HVLED101大功率因数反激式控制器
HVLED101大功率因数反激式控制器
2024-1-10HV5812WG-G
HV5812WG-G
2023-3-30HVCC153Y6P102KEAX
HVCC153Y6P102KEAX
2023-2-14HVCCapacitorN4700替代Vishay威世HVCC系列Y6P高压陶瓷电容
HVCCapacitorN4700替代Vishay威世HVCC系列Y6P高压陶瓷电容
2020-11-29HV9100-高压开关模式控制器和MOSFET
一般描述Supertex公司通过HV9103HV9100是一种BiCMOS制系列/DMOS的单路输出，脉宽调制器芯片设计用于在高速高效率开关模式电源。他们提供所有必需的功能实现单开关电流模式PWM，在任何拓扑结构，与外部的最低部分。Supertex公司专有的BiCMOS的利用/DMOS技术在一个设备结果与一体的运行功率的十分之一传统的双极型PWM集成电路，它可以工作在多开关频率的两倍。动态调节范围也有所增加，至约8倍，类似的两极部分。他们之间的任何直接启动10直流输入电压并为HV9100或10至120VDC70VDC为HV9102和HV9103，无需外接电源电阻。输出级
2013-3-10HV9110-高电压电流模式PWM控制器
通过HV9113Supertex公司的HV9110是一系列的BiCMOS/DMOS的单输出，脉宽调制器集成电路用于使用高速高效率的开关电源。他们提供所有必要的功能，以实现单开关电流模式PWM，在任何拓扑结构，用最少的外部部分。因为他们利用Supertex公司的专有的BiCMOS/DMOS技术，他们需要不到一运行功率的十分之一传统的双极型PWMIC，以及可以运行在多个两次的开关频率。监管的动态范围。也有所增加，约8倍，类似的双极部分。他们开始直接从直流输入电压之间的任何10120VDC，无需外部功率电阻。输出阶段是推挽式CMOS，从而无需钳位二极管为保护，即使在重大的引线长度之间存在着输出
2012-12-1
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
