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HSBP186	14GAUGEGALVANIZEDSTEEL 文件：140.83 Kbytes Page：1 Pages	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
HSBP186	Panneauxseparateursamontagelat챕ral 文件：59.76 Kbytes Page：2 Pages	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
HSBP186	包装：散装描述：PANEL SIDE 67X19X0.9\ 盒子，外壳，机架机架组件	Hammond Manufacturing Hammond Manufacturing
HSBP186	包装：盒描述：PANEL SIDE 67X19X0.9\ 盒子，外壳，机架机架组件	Hammond Manufacturing Hammond Manufacturing
186CPNT	ConductivePolymerAluminumCapacitorsSMD(Chip),LowImpedance,HighTemperature FEATURES •Usefullife:upto2000hat125°C •VerylowESRandhighripplecurrent •Voltagesupto50V •SMD-versionwithbaseplate,lead(Pb)-freereflow solderable •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技
186	RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS 文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
186CPNT	ConductivePolymerAluminumCapacitorsSMD(Chip),LowImpedance,HighTemperature 文件：106.93 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
186D	DUALHIGHVOLTAGE/VERYHIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER 文件：382.57 Kbytes Page：6 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
186ED	DUALHIGHVOLTAGE/VERYHIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER 文件：382.57 Kbytes Page：6 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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更新时间：2024-4-24 9:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市深创辉科技有限公司	HSC0554010010	HOSSIDEN	1999		2000	原装正品现货供应	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	HSC0603-10NJ-T	ARLITECH		603	999999	提供BOM表配单只做原装货值得信赖	询价
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深圳市东来宝电子科技有限公司	HSC001-CE2	ROHM/罗姆	22+	SOP26	54990	郑重承诺只做原装进口货	询价
深圳好佳好科技有限公司	HSBR10100CT	华昕	1315+	58000	0	绝对原装现货可开17增税,特价出售	询价
深圳市维尔达电子有限公司	HSBR10100CT	HJ	2023+	TO-220	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	HSBR10100CT	HJ	23+	TO-220	20000	原厂原装正品现货	询价

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2021-2-16
HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十尽在-宇集芯电子
2019-8-2
HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2
HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2
HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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