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型号	功能描述	生产厂家&企业
HSBD436	PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS MediumPowerLinearswitchingApplications	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件
ADG436	DualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG436isamonolithicCMOSdevicecomprisingtwoindependentlyselectableSPDTswitches.ItisdesignedonanLC2MOSprocess,whichprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. Theonresistanceprofileisveryflatoverthefulla	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
436	SMTelecomFuse436Series 文件：98.03 Kbytes Page：1 Pages	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
436	CMOS/TTLOutput 文件：126.66 Kbytes Page：2 Pages	OSCILENT Oscilent Corporation
436	VibrationDampingTapes 文件：345.76 Kbytes Page：3 Pages	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
ACTR436J	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator 文件：58.87 Kbytes Page：3 Pages	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术

HSBD436产品属性

类型
描述
型号
HSBD436
制造商
HUASHAN
制造商全称
HUASHAN
功能描述
PNP SILICON TRANSISTOR

HSBD436供应商更多...

更新时间：2024-4-25 19:07:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
易创佳业科技（深圳）有限公司	HSBE2738	HUASHUO华朔	23+	PRPAK3*3NEP	22820	原装正品，支持实单	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	HSBE2730	HUASHUO(华朔)	23+	PRPAKEP(3x3)	6000		询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	HSB-D4S03DM222X	AmphenolAerospace	17+	DIP	17900	矩形军用规格连接器4ROWSTACKERCONNECTOR	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	HSB-ES120102C		23+	IGBT	7788		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	HSBP145	Hammond	2020+	N/A	155	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市易讯博科技有限公司	HSBP145	Hammond	22+	NA	155	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	HSBGA35*35	ASE	22+	BGA	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!	询价
艾睿国际（香港）有限公司	HSBE2730	HUASHUO(华朔)	2112+	PRPAK3x3NEP	105000	3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HS-BGA816L	ASEMTCL	22+	BGA	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	HSB-D4S03DM222X	Amphenol Aerospace	22+	Connector	2760	中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者	询价

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HSM4204，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-16
HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十尽在-宇集芯电子
2019-8-2
HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
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HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2
HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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