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HP4410DY	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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4410A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
4410	N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：523.71 Kbytes Page：4 Pages	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
4410	N-Channel20V(D-S)MOSFET 文件：1.01333 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4410AGM	N-Channel20V(D-S)MOSFET 文件：1.00712 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4410GM	N-Channel20V(D-S)MOSFET 文件：1.00699 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

HP4410DY产品属性

类型
描述
型号
HP4410DY
功能描述
MOSFET 30V 10a 0.0135Ohm Logic Level N-Ch
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-25 10:06:00

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