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IRFD113中文资料

厂家型号

IRFD113

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2

功能描述

POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

数据手册

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生产厂商

GE Solid State

简称

GESS

中文名称

GE Solid State官网

LOGO

IRFD113产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFD113

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-23 14:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GESS
23+
NA
39960
只做进口原装,终端工厂免费送样
Vishay Siliconix
23+
4-HVMDIP
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
VISHAY(威世)
23+
HVMDIP-4
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IR
06+
原厂原装
4483
只做全新原装真实现货供应
IR
23+
PLCC44
18000
IR
1436+
DIP
30000
绝对原装进口现货可开增值税发票
IR
23+
DIP-4
8238
MOTOROLA
1990+
74
原装正品现货供应
IOR
2017+
DIP-4
21458
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
IOR
6D
DIP-4
100

IRFD113 价格

参考价格:¥6.8035

型号:IRFD113 品牌:Vishay 备注:这里有IRFD113多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFD113批发/采购报价,IRFD113行情走势销售排排榜,IRFD113报价。

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