位置:2N3859A > 2N3859A详情

2N3859A中文资料

厂家型号

2N3859A

文件大小

154.38Kbytes

页面数量

5

功能描述

SILICON TRANSISTORS

两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

GE Solid State

简称

GESS

中文名称

GE Solid State官网

LOGO

2N3859A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3859A

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-23 14:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GESS
23+
NA
39960
只做进口原装,终端工厂免费送样
FAIRCHI
18+
TO-92
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
原厂
2020+
1500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
13250
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO-92
4790
原厂全新正品旗舰店优势现货
MCEL
23+
1534
全新原装现货库存
FAIRCHILD
23+
2800
正品原装货价格低qq:2987726803
Fairchild Semiconductor
22+
原厂原装
100000
ON
23+
TO-92
616
专注配单,只做原装进口现货
onsemi
24+
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

2N3859A 晶体管资料

  • 2N3859A别名:2N3859A三极管、2N3859A晶体管、2N3859A晶体三极管

  • 2N3859A生产厂家:美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司

  • 2N3859A制作材料:Si-NPN

  • 2N3859A性质:通用型 (Uni)

  • 2N3859A封装形式:直插封装

  • 2N3859A极限工作电压:60V

  • 2N3859A最大电流允许值:0.1A

  • 2N3859A最大工作频率:170MHZ

  • 2N3859A引脚数:3

  • 2N3859A最大耗散功率:0.36W

  • 2N3859A放大倍数:β>150

  • 2N3859A图片代号:A-20

  • 2N3859Avtest:60

  • 2N3859Ahtest:170000000

  • 2N3859Aatest:.1

  • 2N3859Awtest:.36

  • 2N3859A代换 2N3859A用什么型号代替:BC174,BC182,BC190,BC546,3DG121B,

GESS相关电路图

  • GETEDZ
  • GHZTECH
  • GIACOMINI
  • GigaDevice
  • GILWAY
  • GLENAIR
  • GMI
  • GMT
  • G-NICE
  • GOLLEDGE
  • Good-Ark
  • GOODSKY

GE Solid State GE Solid State

中文资料: 151条

GE Solid State GE Solid State