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MMBT5551中文资料
MMBT5551产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT5551
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2019+全新原装正品 |
SOT23 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-23 |
154465 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD |
05+ |
原厂原装 |
5476 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
FAIRCHILD |
22+ |
SOT-89 |
2560 |
绝对原装!现货热卖! |
|||
FAIRCHILD |
16+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
13477 |
原装现货假一罚十 |
|||
FAIRCHILD |
2021+ |
N/A |
6800 |
只有原装正品 |
|||
DIODES |
23+ |
SOT-23-3 |
90000 |
百分百进口原装正品现货，假一罚十价格合理 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
贴 |
6900 |
只做原装 实单必成 |
|||
CJ/长晶 |
24+ |
SOT-23 |
45000 |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
|||
15000 |
SOT-23 |
09+ |
0 |
新到现货价钱差不多就卖了 |
MMBT5551-TP 价格
参考价格：￥0.1669
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MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
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2023-2-8MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压VCEO:160V 集电极—基极电压VCBO:180V 发射极-基极电压VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 很大直流电集电极电流:600mA Pd-功率耗散:300mW 增益带宽产品fT:300MHz
2022-3-22MMBT5551 支持原装现货订货型号 SOT-23
MMBT5551CJ/长电SOT-23
2021-4-22MMBT5551
MMBT5551,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-1
MMBT5551 芯片相关型号
- 1N4734A
- 1N4740ATR
- 74VHC153M
- 923-4N0C-C2B
- ELC06D2R7E
- ELC06D560E
- ELC10D220E
- EP2S180
- EP4CGX22
- EP4CGX75
- M74VHC1GT32DTT1G
- MC74HCT595A
- MC74LVXT4051DG
- MCP1824S-1002EXX
- MCP25020-ESL
- MCP604
- MCP6043
- MCP607T-ISN
- MCP9510H-ECH
- MMBT5771
- MMQA21VT
- MMQA33VT
- MR105L
- PC123F02J00F
- RN73C2B100RLTDF
- RWM0410N48R7JR15E1
- RWM0526N1R20KR15E1
- RWM0826NR330FR15E1
- SP435W
- TIP146
MMBT5551 晶体管资料
MMBT5551别名：MMBT5551三极管、MMBT5551晶体管、MMBT5551晶体三极管
MMBT5551生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT5551制作材料：
MMBT5551性质：低频或音频放大 （LF）_宽频带放大 （A）
MMBT5551封装形式：
MMBT5551极限工作电压：180V
MMBT5551最大电流允许值：0.6A
MMBT5551最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT5551引脚数：
MMBT5551最大耗散功率：0.3W
MMBT5551放大倍数：
MMBT5551图片代号：NO
MMBT5551vtest：180
MMBT5551htest：999900
- MMBT5551atest：.6
MMBT5551wtest：.3
MMBT5551代换 MMBT5551用什么型号代替：
Fairchild相关电路图
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- P79
- P80
Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司
中文资料: 41473条
1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利（WilliamBradfordShockley）离开比尔实验室，创建肖克利半导体实验室（ShockleySemiconductorLaboratory）。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职，他们是罗伯特·诺伊斯（RobertNoyce）、高登·摩尔（GordonMoore）、朱利亚斯·布兰克（JuliusBlank）、尤金·克莱尔（EugeneKleiner）、金·赫尔尼（JeanHoerni）、杰·拉斯特（JayLast）、谢尔顿·罗伯茨（SheldonRobe
