位置：IRF640N > IRF640N详情
IRF640N中文资料
IRF640N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF640N
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2024-4-23 14:51:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
3500 |
全新原装,公司现货销售 |
|||
IR |
13+ |
TO-220/TO-263 |
10000 |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF640N,全新原装,正品供应。 |
|||
IR |
17+ |
TO-220 |
50000 |
深圳市弘为电子有限公司,是原装现货库存为主的混合型供应商,专注功率器件。
代理和分销:Infineon(英飞凌)+IR(国际整流器)、Yea Shin(台湾亚昕)、Mosway(科域)
应用领域:电源、电机控制与驱动、家电、电池管理、电动交通、汽车电子、工业控制、电焊机、节能照明 |
|||
IR |
22+ |
TO-263 |
6000 |
绝对原装正品现货!!!13246658303 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
56890 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
21+ |
TO-263 |
3200 |
原装现货 价格优势 量大可定 |
|||
INFINEON |
新批次 |
原厂封装 |
10001 |
一手货源原装现货,市场可送货,可含税 |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
D2PAK |
6000 |
公司现货，只做原装，可提供BOM配单服务！ |
|||
INFINEON |
22+ |
150000 |
原装正品 |
IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE 价格
参考价格：￥3.3315
型号：IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE 品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER 备注：这里有IRF640N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF640N批发/采购报价，IRF640N行情走势销售排排榜，IRF640N报价。
IRF640N 资料下载更多...
IRF640N相关电子新闻
IRF640NPBF 原装正品
品牌IR现货300K
2022-7-5IRF640NPBF原装现货
IRF640NPBF原装正品
2021-8-9
IRF640N 芯片相关型号
- 10214-55G3PC
- 10214-55H3PC
- 10220-55H3PL
- 10220-55H3VC
- 10236-55G3PC
- 10236-55H3PL
- 10236-55H3VC
- 10240-55G3PC
- 10240-55H3PL
- 10250-55H3PL
- 10268-55G3PL
- 10268-55H3VC
- 152210-0013GB
- 152212-0010GG
- 152212-0113GB
- 152212-0213GB
- 152226-0200GG
- 152240-0200GG
- 152244-0200GG
- 152250-0000GG
- 4614-6301
- 4620-6301
- 4634-7051
- 4636-7051
- 523002B00000
- CGY353
- MAX3950
- MPC565CZP56
- OSD3-E
- Q62702-G82
Fairchild相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司
中文资料: 41473条
1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利（WilliamBradfordShockley）离开比尔实验室，创建肖克利半导体实验室（ShockleySemiconductorLaboratory）。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职，他们是罗伯特·诺伊斯（RobertNoyce）、高登·摩尔（GordonMoore）、朱利亚斯·布兰克（JuliusBlank）、尤金·克莱尔（EugeneKleiner）、金·赫尔尼（JeanHoerni）、杰·拉斯特（JayLast）、谢尔顿·罗伯茨（SheldonRobe
