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FDMC8360L中文资料

厂家型号

FDMC8360L

文件大小

344.94Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m

MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

数据手册

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生产厂商

Fairchild Semiconductor

简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

LOGO

FDMC8360L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDMC8360L

  • 功能描述

    MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    40 V

  • 漏极连续电流

    80 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    3.1 mOhms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    Power-33

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-6-15 10:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild
1930+
N/A
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FAIRCHILD/ON
22+
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FDMC8360L 价格

参考价格:¥5.4137

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  • FESTO
  • FETEK

Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司

中文资料: 41478条

1955年,“晶体管之父”威廉·肖克利(WilliamBradfordShockley)离开比尔实验室,创建肖克利半导体实验室(ShockleySemiconductorLaboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职,他们是罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)、高登·摩尔(GordonMoore)、朱利亚斯·布兰克(JuliusBlank)、尤金·克莱尔(EugeneKleiner)、金·赫尔尼(JeanHoerni)、杰·拉斯特(JayLast)、谢尔顿·罗伯茨(SheldonRobe