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位置：首页 > IC中文资料第1425页 > FGH60N60SFDTU

FGH60N60SFDTU价格

参考价格：￥26.7278

型号：FGH60N60SFDTU 品牌：Fairchild 备注：这里有FGH60N60SFDTU多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FGH60N60SFDTU批发/采购报价，FGH60N60SFDTU行情走势销售排行榜，FGH60N60SFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH60N60SFDTU

600V,60AFieldStopIGBT

UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH60N60SFDTU

600V,60AFieldStopIGBT

Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH60N60SFDTU

Field-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.9V@IC=60A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·SolarConverters ·WeldingConverters ·PFC ·UPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FGH60N60SFDTU

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH60N60SFDTU-F085

IGBT-FieldStop600V,60A

Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowS

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH60N60SFDTU-F085

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
60N60

HiPerFASTTMIGBTswithDiode

HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
60N60

Ultra-LowVCE(sat)IGBT

Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
60N60

HiPerFASTTMIGBTswithDiode

HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
60N60SFD

600V,60AFieldStopIGBT

Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
APT60N60BCS

SuperJunctionMOSFET

文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

FGH60N60SFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH60N60SFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

FGH60N60SFDTU供应商更多...

更新时间：2024-4-20 9:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市保之丰科技有限公司
FGH60N60SFDTU
FAIRCHILD
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FGH60N60SFDTU
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