位置：首页 > IC中文资料第1284页 > DS1250Y
DS1250Y价格
参考价格：￥427.9839
型号：DS1250Y-100+ 品牌：Maxim 备注：这里有DS1250Y多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DS1250Y批发/采购报价，DS1250Y行情走势销售排行榜，DS1250Y报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DS1250Y | 4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch | Dallas Dallas Semiconductor Corp. |  |   |
4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096KNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096KNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096KNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096KNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch | Dallas Dallas Semiconductor Corp. | | | |
封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：托盘 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 集成电路（IC） 存储器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：管件 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 集成电路（IC） 存储器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | | |
4096kNonvolatileSRAM 文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 |  | | |
4096kNonvolatileSRAM 文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 | | | |
4096kNonvolatileSRAM 文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 | | | |
4096KNonvolatileSRAM 文件：323.46 Kbytes Page：9 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 | | | |
4096kNonvolatileSRAM 文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 | | | |
4096kNonvolatileSRAM 文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages | MaximMaximIntegrated 美信半导体 | | | |
Heyco짰OriginalStrainReliefBushings 文件：105.91 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
OriginalStrainReliefBushings 文件：104.39 Kbytes Page：1 Pages | Heyco Heyco |  | | |
InterconnectionCordwithApplianceOutletForlowvoltage,Straight 文件：258.3 Kbytes Page：2 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 |  | | |
SingleChipLowCostLowPowerRF-Transmitter 文件：882.2 Kbytes Page：50 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
SUPERHEAVYDUTY 文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages | ENERGIZEREnergizer Energizer |  | |
DS1250Y产品属性
- 类型
描述
- 型号
DS1250Y
- 功能描述
NVRAM 4096K NV SRAM
- RoHS
否
- 制造商
Maxim Integrated
- 数据总线宽度
8 bit
- 存储容量
1024 Kbit
- 组织
128 K x 8
- 接口类型
Parallel
- 访问时间
70 ns
- 电源电压-最大
5.5 V
- 电源电压-最小
4.5 V
- 工作电流
85 mA
- 最大工作温度
+ 70 C
- 最小工作温度
0 C
- 封装/箱体
EDIP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS |
2023+ |
DIP |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
DALLAS |
2305+ |
原厂封装 |
12500 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
|||
MAXIM/美信 |
2023 |
EDIP-32 |
5000 |
公司原装现货/支持实单 |
|||
DALLAS |
22+ |
34-PCM |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
MAXIM |
22+ |
DIP-32 |
5622 |
郑重承诺只做原装进口货 |
|||
MAXIM/美信 |
23+ |
SSOPQFN |
25050 |
原厂支持公司优势现货 |
|||
DALLAS |
22+ |
DIP32 |
800000 |
原装正品 |
|||
DALLAS |
22++ |
DIP |
5209 |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
|||
MAXIM/美信 |
22+ |
DIP |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
DALLAS |
08+ |
DIP32 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
DS1250Y芯片相关品牌
DS1250Y规格书下载地址
DS1250Y参数引脚图相关
- f338
- F330
- f133
- f1212
- ex128
- et600
- ESD
- ep9315
- ep1c3t144c8n
- EMI滤波器
- em35
- EDA
- e251
- d类功放
- d触发器芯片
- d触发器
- dsp芯片
- dsp技术
- ds18b20
- ds1302
- DS1284Q
- DS1284N
- DS1284
- DS1283
- DS1270Y
- DS1270W
- DS127
- DS126C2
- DS1267
- DS1265Y
- DS1265W
- DS1260
- DS126
- DS125DF111EVM
- DS125BR820NJYT
- DS125BR820EVM
- DS125BR800SQE/NOPB
- DS125BR800ANJYT
- DS125BR800AEVM
- DS125BR401SQE/NOPB
- DS125BR401EVM
- DS125BR401ANJYT
- DS125BR401AEVM
- DS1259
- DS1258Y
- DS1258W
- DS1254
- DS1251YP-70IND+
- DS1251Y-70+
- DS1251Y
- DS1251WP-120+
- DS1251W-120IND+
- DS1251W-120+
- DS1251P
- DS1251
- DS1250YP-70+
- DS1250Y-70IND+
- DS1250Y-70+
- DS1250Y-100IND+
- DS1250Y-100+
- DS1250WP-100+
- DS1250W-100IND+
- DS1250W
- DS1250AB-70IND+
- DS1250AB-70+
- DS1250AB-100+
- DS1-25-0003
- DS1-25-0002
- DS1-25-0001
- DS125
- DS1249Y
- DS1249W
- DS1248YP-70+
- DS1248Y-70IND+
- DS1248Y-70+
- DS1248WP-120IND+
- DS1248WP-120+
- DS1248W-120IND+
- DS1248W-120+
- DS1248P
- DS1248
- DS1245YP-70IND+
- DS1245YP-70+
- DS1245YP-100+
- DS1245Y-85+
- DS1245Y-70IND+
- DS1245Y
- DS1245W
- DS1245
- DS1244Y
- DS1244P
- DS1244
- DS1243Y
- DS1243
- DS1239
- DS1238S
- DS1238A
- DS1238
- DS1236A
- DS1236
DS1250Y数据表相关新闻
DS1230AB-70IND
进口代理
2023-10-27DS1233AZ-10+
DS1233AZ-10+
2022-9-28DS1232LP+，美信珠海代理商，MAXIM珠海代理商
DS1232LP+，美信珠海代理商，MAXIM珠海代理商
2020-10-31DS125BR820NJYT 接口-信号缓冲器、中继器
DS125BR820NJYT接口-信号缓冲器、中继器
2020-10-28DS1259-电池管理芯片
特点促进不间断电源只有当主VCC是不可用的使用电池低正向压降电源故障信号中断的处理器，或写保护内存功耗小于100nA的电池电流低电量警告信号电池可电断开后命令当VCC应用，电池会自动重新连接配合DS1212非易失控制器×16片直接与备份16的RAM可选的16引脚SOIC表面贴装封装DS1259电池管理芯片是一个低成本的电池管理系统的便携性和非易失性电子设备。电池输入引脚连接到一个电池
2013-1-1DS1267-双数字电位器芯片
DS1267双数字电位器芯片由两个数字控制，固态电位器。每个电位器是由256个电阻部分。彼此之间的电阻节和电位器两端的雨刮器都可以访问的抽头点。中的地位电阻阵列上的雨刮器是由一个8位值控制抽头点连接到雨刮器输出。通过3线串行接口完成通信和控制设备。这个接口允许读取或写入设备抽头位置。（或堆叠）系列中增加的总电阻与两个电位器，可连接相同的分辨率。对于多个设备，单处理器的环境中，DS1267可级联或菊花链式。此功能提供一个单一的3线总线控制多台设备的。DS1267是提供了三个标准电阻值，其中包括10，50和100千欧版本。该设备可用的软件包，包括一个14引脚DIP，16引脚SOIC，和20引脚T
2012-12-11
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
